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该N沟道碳化硅MOSFET具备15A的漏极电流能力与650V的漏源击穿电压，导通电阻为260mΩ，栅源驱动电压范围为-5V至!6V。器件利用碳化硅材料优势，在高频工作状态下表现出较低的导通损耗和优异的热稳定性。适用于高效率电源、服务器供电系统、光伏逆变及储能设备中的功率开关环节，其负压关断能力有助于提升开关可靠性与抗噪性能。