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该N沟道碳化硅MOSFET的额定漏极电流为15A，漏源击穿电压VDSS为650V，导通电阻RDS(ON)为260mΩ，栅源驱动电压范围VGS为-5V至!6V。器件利用碳化硅材料优势，在高电压工作条件下具备较低的导通损耗和良好的热稳定性，适用于高频开关电源、高效电能转换及对系统效率要求较高的电力电子应用。其宽VGS范围有助于适配多种驱动电路，提升运行可靠性。