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该N沟道MOSFET具备120A的连续漏极电流（ID）和100V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为3.6毫欧。低导通电阻有助于在大电流工作条件下显著降低功率损耗，提升整体能效。器件适用于高频率开关场景，可有效支持电源转换、电机驱动及各类高功率电子系统中的关键开关功能，其电气特性确保在严苛负载下仍维持稳定运行。
