-------<点击了解更多 + 购买>-------
该N沟道场效应管（MOSFET）具备120A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）仅为3毫欧。低导通电阻有效降低导通状态下的功率损耗，提升整体能效。适用于高电流开关场合，如电源转换、电池管理系统及各类高效能电子设备中的功率控制模块。其大电流承载能力与低阻特性使其在频繁开关或持续高负载条件下仍能保持稳定工作性能。
