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该N沟道碳化硅MOSFET具有8.6A的连续漏极电流与800V的漏源击穿电压，导通电阻为525mΩ，在栅源电压范围-8V至@0V内稳定工作。器件采用碳化硅材料，具备优异的高温性能与开关特性，适用于对效率和功率密度要求较高的电源转换场景。其低导通损耗与高耐压能力使其在高频开关应用中表现突出，可有效提升系统整体能效与可靠性。