-------<点击了解更多 + 购买>-------
该N沟道MOSFET具有100A的连续漏极电流（ID）和60V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至3.7毫欧。其极低的导通电阻有效降低了导通状态下的功率损耗，适用于高电流、高效率要求的电源管理、电机驱动、不间断电源及大功率开关电路等应用场合。器件在大电流工作条件下仍能保持较低温升，有助于提升系统整体能效与可靠性。
