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该N沟道MOSFET具备35A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为30V，导通电阻为7.5毫欧。其低导通电阻有助于在高频率开关操作中降低传导损耗，提升整体能效。适用于对体积和热管理有要求的电源系统，如多相稳压模块、便携式设备的电源路径控制以及同步整流电路等场景，能够在紧凑布局下保持良好的电气性能与稳定性。