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该N沟道MOSFET支持80A的连续漏极电流，最大漏源电压为30V，导通电阻典型值为4.7毫欧，栅源电压额定值达20V。其低导通电阻有效减少导通损耗，在高电流工作条件下仍能维持较低温升。器件适用于高效率电源管理、直流-直流转换器、电机控制及高频开关电路等场合，能够在紧凑布局中提供稳定的电气性能和良好的热表现。