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该N沟道MOSFET的漏源电压（VDSS）为100V，最大连续漏极电流（ID）达75A，在栅源电压（VGS）为20V时导通电阻（RDS(ON)）低至7.3毫欧。其低导通电阻有助于显著降低导通损耗，适用于高效率电源转换、电机驱动及高频开关等电路应用。器件在大电流条件下仍能保持良好的热稳定性和开关特性，适合对功率密度和能效有较高要求的电子系统。