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该N沟道MOSFET具备100V的漏源电压（VDSS）额定值，最大连续漏极电流（ID）达75A，在栅源电压（VGS）为20V时导通电阻（RDS(ON)）仅为7.3毫欧。低导通电阻有效降低导通状态下的功率损耗，提升整体能效。器件适用于高电流、高频率的电源管理、电机控制及开关转换等电路拓扑中，其电气特性支持快速开关动作与稳定工作性能。
