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该N沟道碳化硅MOSFET的漏极电流ID为15A，漏源击穿电压VDSS为650V，导通电阻RDS(ON)为260mΩ，栅源电压VGS工作范围为-5V至!6V。器件基于碳化硅材料，具备低导通损耗与优异的高频开关特性，适用于高效率电源、通信电源、光伏逆变器及储能转换系统等场景，有助于提升整体能效与功率密度。