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该N沟道场效应管（MOSFET）具有18A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为5毫欧，栅源电压（VGS）额定值为20V。其较低的导通电阻有助于减少功率损耗，在中等电流应用中可有效提升能效并降低温升。适用于电源转换、便携式设备供电管理、电机驱动及各类对体积和效率有要求的电子系统。
