-------<点击了解更多 + 购买>-------
该N沟道场效应管（MOSFET）具备65A的连续漏极电流（ID）和60V的漏源击穿电压（VDSS），在栅源电压（VGS）为20V时，导通电阻（RDS(ON)）典型值为8毫欧。器件在中高功率开关应用中可实现较低的导通损耗，适用于对效率和热性能有要求的电源管理、电机控制及直流-直流转换等电路。其电气参数组合使其在频繁开关或持续大电流工况下仍能保持稳定工作特性。
