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该N沟道碳化硅MOSFET具有15A的连续漏极电流和650V的漏源击穿电压，导通电阻典型值为260mΩ，在栅源电压范围-5V至!6V内稳定工作。器件利用碳化硅材料特性，在高频、高温环境下展现出优异的开关性能与低导通损耗，适用于对效率和功率密度要求较高的电源转换系统，如服务器电源、通信电源及可再生能源逆变器等场景。