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该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流为15A，漏源电压耐受能力达650V，导通电阻为260mΩ，栅源驱动电压范围为-5V至!6V。器件基于碳化硅材料，具备低导通损耗与优异的高频开关特性，适用于高效率电源转换、可再生能源系统及紧凑型电力电子设备。其宽栅压范围增强了驱动兼容性，同时在高温环境下仍能保持稳定电气性能。