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该N沟道碳化硅MOSFET具有900V的漏源击穿电压（VDSS）和11A的连续漏极电流（ID），在25℃条件下导通电阻（RDS(ON)）为712mΩ。其栅源电压范围为-8V至@0V，适用于高电压、高效率的功率转换场景。器件利用碳化硅材料特性，在高频开关应用中表现出较低的开关损耗与良好的热稳定性，适合用于对能效和体积有较高要求的电源系统中。