-------<点击了解更多 + 购买>-------

该N沟道MOSFET具有75A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为100V，导通电阻仅为6.4毫欧。低导通电阻有效降低导通状态下的功率损耗，提升整体能效。器件适用于高效率电源转换、电机驱动以及高频开关电路等场合，在大电流工作条件下仍能保持良好的热稳定性和开关性能，满足对紧凑布局和高功率密度有要求的电子系统设计需求。