-------<点击了解更多 + 购买>-------

该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流为15A，漏源电压耐受能力达650V，导通电阻为260mΩ，栅源驱动电压范围为-5V至!6V。器件基于碳化硅工艺，具备低导通损耗与优异的高频开关特性，适用于高效率电源转换、可再生能源系统及各类中高功率电子设备中的功率开关环节，有助于提升整体能效并减小系统体积。