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该N沟道场效应管（MOSFET）具有55A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）、4.7毫欧的导通电阻（RDS(ON)）以及20V的最大栅源电压（VGS）。其较低的导通电阻有助于减小导通状态下的功率损耗，提升系统效率。器件适用于对电流承载能力和开关性能有较高要求的电源管理、电池供电设备及高效能电子系统中的功率控制环节。
