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该N沟道碳化硅MOSFET具备900V的漏源击穿电压（VDSS）和11A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(ON)）为712mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至@0V。器件基于碳化硅材料，具有高耐压能力和良好的高温工作特性，在高频开关条件下仍能维持较低的开关损耗。适用于对效率与可靠性要求较高的电源转换系统，尤其适合空间受限但需稳定运行的高电压应用场景。