-------<点击了解更多 + 购买>-------

该N沟道场效应管（MOSFET）具有100A的连续漏极电流（ID）和60V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至3.7毫欧，适用于对导通损耗和热效率要求严苛的高电流开关应用。其极低的导通电阻有助于减少功率损耗，提升系统整体能效，在电源转换、大电流负载控制及高频开关电路中可提供稳定可靠的性能表现。