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该N沟道碳化硅MOSFET具有15A的连续漏极电流与650V的漏源击穿电压，导通电阻为260mΩ，在栅源电压范围-5V至!6V内稳定工作。器件基于碳化硅材料，具备优异的高频特性和高温稳定性，适用于高效率电源转换、开关模式电源及各类电力电子系统中，可有效降低开关损耗并提升整体能效表现。