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该N沟道场效应管（MOSFET）具有130A的连续漏极电流（ID）、40V的漏源击穿电压（VDSS），以及低至2.8毫欧的导通电阻（RDS(ON)）。其低导通电阻有效减少功率损耗和发热，适合在高电流密度环境下运行。典型应用包括大功率直流电源、高效同步整流电路、电动工具驱动单元及高频率开关电源等场合，能够满足对电气性能和热稳定性要求较高的设计需求。
