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该N沟道碳化硅MOSFET具有15A的连续漏极电流和650V的漏源击穿电压，导通电阻为260mΩ，在栅源电压范围-5V至!6V内稳定工作。器件采用碳化硅材料，具备优异的高温性能与开关效率，适用于对功率密度和能效要求较高的电力转换场景。其低导通损耗与快速开关特性有助于提升系统整体效率，同时简化散热设计。