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该N沟道碳化硅MOSFET具有63A的连续漏极电流、650V的漏源击穿电压，导通电阻为58mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至@5V。基于碳化硅材料特性，器件在高频开关应用中表现出较低的导通与开关损耗，同时具备良好的热稳定性。适用于高效率电源转换系统，如服务器电源、通信设备供电模块以及对功率密度和能效有较高要求的电力电子装置。