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该N沟道碳化硅MOSFET具有36A的连续漏极电流和650V的漏源击穿电压，导通电阻为75mΩ，在栅源电压范围-8V至@0V内稳定工作。得益于碳化硅材料的特性，器件在高频、高效率应用场景中表现出较低的开关损耗与导通损耗，适用于对能效和热管理要求较高的电力转换系统。其电气参数组合使其能够在紧凑型电源设计中实现优异的性能表现。