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该N沟道碳化硅MOSFET具备70A的连续漏极电流与650V的漏源击穿电压，导通电阻为44mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至@0V。得益于碳化硅材料的特性，器件在高频开关条件下仍能保持较低的开关损耗和良好的热稳定性，适用于高效率电源转换系统。其电气参数适合用于对能效和紧凑布局有较高要求的电力电子应用中。