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该N沟道碳化硅MOSFET具备32A的漏极电流能力与650V的漏源耐压，导通电阻为94mΩ，可在栅源电压-10V至@5V范围内正常工作。得益于碳化硅材料的物理特性，器件在高频开关操作中表现出较低的导通损耗和优异的热稳定性。其电气参数组合适合用于高效率电源转换、可再生能源系统及各类需要紧凑设计与高功率密度的电力电子应用场合。