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该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流为36A，漏源电压耐受能力达650V，导通电阻典型值为75mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至@0V。器件基于碳化硅工艺，在高频工作条件下展现出较低的导通与开关损耗，同时具备良好的热导性能和稳定性。适用于高效率电源、可再生能源转换系统以及对体积和能效有较高要求的电力电子应用场合。