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该N沟道碳化硅MOSFET的连续漏极电流为37A，漏源击穿电压达650V，导通电阻为75mΩ，栅源电压工作范围为-8V至@0V。器件基于碳化硅材料，具备低导通损耗与优异的开关性能，在高频运行条件下仍能保持高效稳定。适用于对功率转换效率和热管理有较高要求的电源系统，如高密度开关电源、可再生能源转换装置及高性能计算设备中的供电模块。