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该N沟道碳化硅MOSFET具有36A的漏极电流额定值，漏源击穿电压为650V，导通电阻为75mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至@0V。器件采用碳化硅材料，具备优异的高温稳定性和高频开关能力，在高效率电源转换、可再生能源系统及高密度电力电子模块中可有效降低导通与开关损耗，提升整体能效表现。