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该N沟道碳化硅MOSFET具备108A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为650V，导通电阻低至20mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至@5V。凭借碳化硅材料的优异特性，器件在高频、高效率的电力转换场景中展现出较低的开关损耗与导通损耗，适用于对能效和热管理要求较高的电源系统。其宽栅压范围提升了驱动兼容性，同时高耐压与大电流能力保障了在严苛电气环境下的稳定运行。