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该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流ID为30A，漏源击穿电压VDSS达650V，导通电阻RDS(ON)为94mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至@5V。器件采用碳化硅材料，具备高耐压与低导通损耗特性，适用于对效率和热管理要求较高的电力转换场景。其宽栅压范围提升了驱动兼容性，适合在高频开关条件下稳定运行，满足多种电源系统对高性能功率开关的需求。