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该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）和36A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(ON)）为75mΩ，栅极驱动电压范围为-8V至@0V。器件采用碳化硅材料，具备优异的高频特性和高温稳定性，适用于高效率、高频率的电源转换场景。其低导通损耗与快速开关能力有助于提升系统整体能效，同时简化散热设计。该MOSFET在电力电子系统中可有效支持紧凑型拓扑结构，满足对性能与可靠性的严苛要求。
