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该N沟道碳化硅MOSFET具备36A的漏极电流能力，漏源击穿电压为650V，导通电阻低至75mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至@0V。得益于碳化硅材料的高热导率与高临界电场强度，器件在高频、高电压工作条件下仍能保持较低的导通损耗和良好的开关特性。其优化的栅压范围适配多种驱动方案，适用于高效率电源转换、可再生能源接入系统及对功率密度和热性能有较高要求的电子设备。