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该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流为70A，漏源电压耐受能力达650V，导通电阻为36mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至@0V。器件基于碳化硅工艺，具备优异的开关速度和高温工作能力，适用于对效率和功率密度要求较高的电源转换系统，如服务器电源、光伏逆变器及高频开关电源等场合，能够在严苛电气环境下保持稳定性能。