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该N沟道碳化硅MOSFET具有70A的连续漏极电流、650V的漏源击穿电压和44mΩ的导通电阻，栅源电压范围为-8V至@0V。器件基于碳化硅工艺，在高频工作时表现出较低的开关损耗与导通损耗，同时具备良好的热导性能。适用于高效率、高功率密度的电源系统，尤其在对体积、散热及能效有严格要求的电力电子设备中表现突出。