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该N沟道碳化硅MOSFET具有36A的漏极电流额定值，漏源击穿电压为650V，导通电阻为75mΩ，在栅源驱动电压范围-8V至@0V内可靠运行。器件利用碳化硅材料的高击穿场强与低导通损耗特性，适用于高频、高效率的电源转换场景，可在紧凑型电力电子系统中实现优异的热性能与开关表现。