-------<点击了解更多 + 购买>-------

该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）和24A的连续漏极电流能力，导通电阻（RDS(ON)）为95mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至@0V。得益于碳化硅材料特性，器件在高频开关条件下表现出较低的导通与开关损耗，适用于高效率电源转换、可再生能源系统及紧凑型电力电子设备。其宽VGS范围增强了与不同驱动电路的兼容性，同时支持在较高结温下稳定运行。