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该N沟道碳化硅MOSFET具备800V漏源击穿电压（VDSS）和20A连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDS(on)）典型值为165mΩ，在高温与高电压工作环境下仍能保持良好性能。栅源电压范围为-10V至@5V，支持可靠驱动控制。采用宽禁带半导体材料，具有低开关损耗、高开关频率和优异的热稳定性，适用于高压直流电源、高效能逆变装置、可再生能源发电系统及高功率密度电源转换模块的设计与实现。
