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该碳化硅场效应管为N沟道结构，最大漏极电流ID达99A，漏源击穿电压VDSS为650V，导通电阻RDS(ON)低至26mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至@5V。器件具备高耐压与低导通损耗特性，适用于对效率和功率密度要求较高的电力转换场景，可在高频开关条件下保持稳定性能，适合用于各类高效电源系统及能量变换装置中。