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该N沟道碳化硅MOSFET支持38A的连续漏极电流，漏源击穿电压为650V，导通电阻低至95mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至@0V。凭借碳化硅材料的特性，器件在高频开关应用中表现出较低的导通与开关损耗，同时具备良好的热稳定性。适用于对能效和紧凑布局有较高要求的电源转换系统，可在高工作频率下维持高效运行。