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该N沟道碳化硅MOSFET具备32A的漏极电流能力，漏源击穿电压达650V，导通电阻为94mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至@5V。其采用碳化硅材料，具有优异的高温稳定性和高频开关特性，在高效率电源、可再生能源系统及高频电力转换等应用中可实现更低的损耗与更高的功率密度。