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该N沟道碳化硅MOSFET的额定漏极电流为32A，漏源击穿电压达650V，导通电阻为94mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至@5V。器件基于碳化硅工艺，在高频开关条件下可维持较低的导通与开关损耗，同时具备良好的热性能和稳定性。适用于对效率、体积和温升有较高要求的电源转换系统，如服务器电源、光伏逆变器及高密度电力模块等场景。