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该N沟道碳化硅MOSFET具有31A的连续漏极电流和650V的漏源击穿电压，导通电阻为94mΩ，栅源电压工作范围为-10V至@5V。器件利用碳化硅材料特性，实现低导通损耗与高速开关能力，适用于高效率电源、可再生能源转换系统及紧凑型电力电子设备。其宽栅压范围增强了驱动电路的适应性，并在高温条件下维持可靠的电气性能。