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该N沟道碳化硅MOSFET具有70A的连续漏极电流（ID）和650V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为44mΩ，栅源电压（VGS）工作范围为-8V至@0V。基于碳化硅材料的特性，该器件在高频开关应用中表现出较低的导通与开关损耗，适用于高效率、高功率密度的电源转换系统，如服务器电源、通信电源及可再生能源相关设备中的功率级设计。
