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该N沟道碳化硅MOSFET具有73A的连续漏极电流（ID）和650V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为26mΩ，在高电压工作条件下仍能保持较低的导通损耗。其栅源电压范围为-10V至@5V，兼容多种驱动电路设计。得益于碳化硅材料的特性，器件在高频开关应用中展现出优异的热性能与效率，适用于对体积紧凑性及能量转换效率有较高要求的电源系统。