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该N沟道碳化硅MOSFET具备105A的连续漏极电流能力，漏源电压额定值为650V，导通电阻为26mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至@5V。器件利用碳化硅材料特性，在高频、高温工作条件下仍能维持较低的导通损耗和优异的开关性能，适用于高效率电源转换、可再生能源并网系统以及对体积与散热有严苛要求的电力电子设备。其宽栅压范围有助于提升驱动电路的适配性与可靠性。