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该N沟道碳化硅MOSFET具有36A的漏极电流能力，漏源击穿电压为650V，导通电阻为75mΩ，栅源电压工作范围为-8V至@0V。器件利用碳化硅材料特性，展现出较低的导通损耗和优异的高频开关性能，适用于高效率电源转换、光伏逆变系统、数据中心供电及高频电力电子设备，在高温或高开关频率环境下仍可维持稳定运行。