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该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流为30A，漏源击穿电压达650V，导通电阻为94mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至@5V。器件基于碳化硅工艺，具备低导通损耗与优异的高频开关特性，适用于高效率电源转换系统。其稳定的电气性能和良好的热稳定性，可满足对紧凑布局与高效能要求较高的电力电子应用需求。